您現(xiàn)在的位置:首頁(yè)> 資訊動(dòng)態(tài) > 行業(yè)資訊
隨著社會(huì)的進(jìn)步和發(fā)展,MOS管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,下面來(lái)科普一下這方面的知識(shí)。什么是MOS管?MOS管的構(gòu)造和種類是怎樣的?
MOS即 MOSFET的簡(jiǎn)寫,全稱是金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管。就是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。MOS管的構(gòu)造、原理、特性、符號(hào)規(guī)則和封裝種類等.
1、MOS管的構(gòu)造:
MOS管的構(gòu)造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的 N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅(Si02)絕緣層膜,在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極G。這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道(NPN 型)增強(qiáng)型MOS管。它的柵極和其它電極間是絕緣的。
同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的P+區(qū),及上述相同的柵極制作過(guò)程,就制成為一個(gè)P溝道(PNP型)增強(qiáng)型MOS管。
2,MOS 管的特性:
MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,由于SiO2絕緣層的存在,在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在,電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源極-漏極電流的產(chǎn)生。此時(shí)的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小,控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結(jié)論:
1) MOS 管是一個(gè)由改變電壓來(lái)控制電流的器件,所以是電壓器件。
2) MOS 管道輸入特性為容性特性,所以輸入阻抗極高。
3,MOS管種類和結(jié)構(gòu):
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被**成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。
對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,一般都用NMOS。下面的介紹中,也多以NMOS為主。
在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。